Schottky barrier height engineering for next generation DRAM capacitors

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Beitragende

  • K. Cho - , Samsung (Autor:in)
  • Milan Pešić - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • S. Knebel - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • C. Jung - , Samsung (Autor:in)
  • J. Chang - , Samsung (Autor:in)
  • H. Lim - , Samsung (Autor:in)
  • N. Kolomiiets - , KU Leuven (Autor:in)
  • V.V. Afanas'Ev - , KU Leuven (Autor:in)
  • U. Schroeder - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • T. Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik, NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)

Details

OriginalspracheEnglisch
TitelEUROSOI-ULIS 2015 - 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon
Seiten129-132
ISBN (elektronisch)978-1-4799-6911-1
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2015
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

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