Scanning spreading resistance microscopy for failure analysis of nLDMOS devices with decreased breakdown voltage

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

  • S. Doering - (Autor:in)
  • R. Rudolf - (Autor:in)
  • M. Pinkert - (Autor:in)
  • H. Roetz - (Autor:in)
  • C. Wagner - (Autor:in)
  • S. Eckl - (Autor:in)
  • M. Strasser - (Autor:in)
  • A. Wachowiak - (Autor:in)
  • T. Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik, NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)

Details

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)2128-2132
FachzeitschriftMicroelectronics Reliability
Jahrgang54
Ausgabenummer9-10
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2014
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

Scopus 84908507451

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