Root cause of degradation in novel HfO2-based ferroelectric memories

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Beitragende

Details

OriginalspracheEnglisch
Titel2016 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings
Herausgeber (Verlag)IEEE Xplore
ISBN (elektronisch)978-1-4673-9137-5
ISBN (Print)978-1-4673-9138-2
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2016
Peer-Review-StatusJa

Publikationsreihe

ReiheIEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings
ISSN1541-7026

Externe IDs

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