Room temperature fabricated NbOx/Nb2O5 memory switching device with threshold switching effect

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Beitragende

Details

OriginalspracheEnglisch
Titel2013 5th IEEE International Memory Workshop
Herausgeber (Verlag)Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
ISBN (elektronisch)978-1-4673-6169-9
ISBN (Print)978-1-4673-6168-2
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2013
Peer-Review-StatusJa

Publikationsreihe

ReiheIEEE International Memory Workshop (IMW)
ISSN2330-7978

Externe IDs

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