RF small-signal modeling of HCI degradation in FDSOI NMOSFET using BSIM-IMG

Publikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten › Beitrag in Konferenzband › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

Details

OriginalspracheEnglisch
Titel2021 IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW)
Seiten33-37
Seitenumfang5
ISBN (elektronisch)978-1-6654-1794-5
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2021
Peer-Review-StatusJa

Publikationsreihe

ReiheIEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW)
ISSN1930-8841

Externe IDs

Scopus 85123718300
ORCID /0000-0003-3814-0378/work/142256359

Schlagworte

Schlagwörter

  • HCI, FDSOI, RF reliability, S-parameters, BSIM-IMG