Relaxation and recombination processes in Ge/SiGe multiple quantum wells

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Beitragende

  • E. Gatti - , Università degli Studi di Milano Bicocca (Autor:in)
  • A. Giorgioni - , Università degli Studi di Milano Bicocca (Autor:in)
  • E. Grilli - , Università degli Studi di Milano Bicocca (Autor:in)
  • M. Guzzi - , Università degli Studi di Milano Bicocca (Autor:in)
  • D. Chrastina - , Polytechnic University of Milan (Autor:in)
  • G. Isella - , Polytechnic University of Milan (Autor:in)
  • A. Chernikov - , Philipps-Universität Marburg (Autor:in)
  • K. Kolata - , Philipps-Universität Marburg (Autor:in)
  • V. Bornwasser - , Philipps-Universität Marburg (Autor:in)
  • N. S. Köster - , Philipps-Universität Marburg (Autor:in)
  • R. Woscholski - , Philipps-Universität Marburg (Autor:in)
  • S. Chatterjee - , Philipps-Universität Marburg (Autor:in)

Abstract

The carrier dynamics that occurs in Ge/SiGe QWs when electrons are excited to confined states at Γ is studied by means of optical spectroscopy at different lattice temperatures. The typical times for the different relaxation and recombination processes are given and discussed.

Details

OriginalspracheEnglisch
TitelPhysics of Semiconductors - Proceedings of the 31st International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS 2012
Herausgeber (Verlag)American Institute of Physics Inc.
Seiten470-471
Seitenumfang2
ISBN (Print)9780735411944
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2013
Peer-Review-StatusJa
Extern publiziertJa

Publikationsreihe

ReiheAIP Conference Proceedings
Band1566
ISSN0094-243X

Konferenz

Titel31st International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS 2012
Dauer29 Juli - 3 August 2012
StadtZurich
LandSchweiz

Externe IDs

ORCID /0000-0002-9213-2777/work/196666242

Schlagworte

ASJC Scopus Sachgebiete

Schlagwörter

  • carrier dynamics, photoluminescence, quantum well, SiGe