Nachdem im Jahr 2004 eine einfache Herstellungsmöglichkeit von Graphen gefunden\nwurde, erhielten zweidimensionale Materialien wie die Übergangsmetalldichalkogenide\n(TMDs) große Aufmerksamkeit aufgrund ihrer einzigartigen\nphysikalischen Eigenschaften und deren breiten Anwendungsmöglichkeiten in\nder zukünftigen Nanoelektronik. Im Gegensatz zu Graphen sind die TMDs -\nwie auch einlagiges Molybdändisulfid (MoS2) - Halbleiter mit einem direkten\nBandübergang, welcher durch externe Einflüsse wie Verzerrung des Materials\nsensitiv geändert werden kann.\nDiese Arbeit beschäftigt sich damit, den Verzerrungsgrad einer Dünnschicht\nmittels μ-Raman-Spektroskopie zu vermessen. Der Einfluss der Verzerrung\nauf die Schwingungsmoden von MoS2 wurde untersucht und ein verzerrungsabhängiger Shift der Raman-Moden beobachtet. Mit einer Biegestation wurde\neine uniaxiale tensile Verzerrung von bis zu 1,7 % an mehrlagigem, mit\nKohlenstoff-Filmen auf das Substrat fixierten MoS2 ausgeübt. Bei zunehmender\nVerzerrung konnte ein Abfallen der E12\ng- und A1g-Raman-Mode gemessen\nwerden.\nZuvor wurden der experimentelle Aufbau und die Übertragung der Verzerrung\ndurch die Biegestation erfolgreich an Siliziumwafern als Referenz getestet.