Quasi-Self-Aligned Organic Thin-Film Transistors in Coplanar Top-Gate Configuration

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

Details

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)5131-5137
FachzeitschriftACS applied electronic materials
Jahrgang3
Ausgabenummer11
PublikationsstatusVeröffentlicht - 23 Nov. 2021
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

Scopus 85118863236
ORCID /0000-0002-9773-6676/work/142247008

Schlagworte

Schlagwörter

  • OTFT, OFET, top-gate top-contact, self-alignment, capacity reduction, high-frequency

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