Quantitative analysis of backscattered electron (BSE) contrast using low voltage scanning electron microscopy (LVSEM) and its application to Al0. 22Ga0. 78N/GaN layers.
Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung
Beitragende
Details
Originalsprache | Englisch |
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Seiten (von - bis) | 47-52 |
Seitenumfang | 6 |
Fachzeitschrift | Ultramicroscopy |
Jahrgang | 195 |
Publikationsstatus | Veröffentlicht - 2018 |
Peer-Review-Status | Ja |
Externe IDs
Scopus | 85052655471 |
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