Quantitative analysis of backscattered electron (BSE) contrast using low voltage scanning electron microscopy (LVSEM) and its application to Al0. 22Ga0. 78N/GaN layers.

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

A Garitagoitia Cid - , Dresden Center for Nanoanalysis (DCN) (Autor:in)
R Rosenkranz - (Autor:in)
M Löffler - , Dresden Center for Nanoanalysis (DCN), Center for Advancing Electronics Dresden (cfaed) (Autor:in)
A Clausner - (Autor:in)
Y Standke - (Autor:in)
E Zschech - , Fakultät Elektrotechnik und Informationstechnik, Fraunhofer-Institut für Keramische Technologien und Systeme (Autor:in)

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