Quantification of deep hole-trap filling by molecular p-doping: Dependence on the host material purity

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

Details

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)2348-2352
Seitenumfang5
FachzeitschriftOrganic electronics
Jahrgang14
Ausgabenummer9
PublikationsstatusVeröffentlicht - Sept. 2013
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

Scopus 84885472548

Schlagworte

Schlagwörter

  • Molecular p-doping, Organic semiconductors, Fermi-level, Deep trap-states, Ultra-violet photoemission spectroscopy

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