Programming transients of trapping nitride storage flash memory cells and evidence of lateral charge redistributions during or after programming

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Beitragende

  • G. Tempel - , Infineon Technologies AG (Autor:in)
  • W. V. Emden - , Infineon Technologies AG (Autor:in)
  • R. Hagenbeck - , Infineon Technologies AG (Autor:in)
  • P. Haibach - , Infineon Technologies AG (Autor:in)
  • M. Isler - , Infineon Technologies AG (Autor:in)
  • T. Mikolajick - , Infineon Technologies AG (Autor:in)
  • T. Müller - , Infineon Technologies AG (Autor:in)
  • S. Riedel - , Infineon Technologies AG (Autor:in)
  • J. M. Schley - , Infineon Technologies AG (Autor:in)
  • J. Schott - , Infineon Technologies AG (Autor:in)
  • M. Strassburg - , Infineon Technologies AG (Autor:in)
  • J. Willer - , Infineon Technologies AG (Autor:in)

Details

OriginalspracheEnglisch
Titel21st IEEE Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop 2006, NVSMW 2006
Seiten81-83
Seitenumfang3
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2006
Peer-Review-StatusJa
Extern publiziertJa

Publikationsreihe

Reihe21st IEEE Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop 2006, NVSMW 2006
Band2006

Konferenz

Titel21st IEEE Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop 2006, NVSMW 2006
Dauer12 - 16 Februar 2006
StadtMonteray, CA
LandUSA/Vereinigte Staaten

Externe IDs

ORCID /0000-0003-3814-0378/work/156338375

Schlagworte

ASJC Scopus Sachgebiete