Potential-Untersuchung von Graphen-Transistoren mithilfe von Kelvin-Rastersondenmikroskopie
Publikation: Hochschulschrift/Abschlussarbeit › Bachelorarbeit
Beitragende
Abstract
Graphen wurde erst nach der Jahrtausendwende entdeckt. Schon bei seiner Entdeckung löste\ndas Material Begeisterung und Überlegungen dahingehend aus, was mit einem solchen einzigartigen\nStoff möglich wäre. Seitdem wurden viele der Eigenschaften von Graphen vorhergesagt.\nSo haben die Theoretiker Michael Dyakonov and Michael Shur beschrieben, dass in zweidimensionalen\nOberflächen mit wenigen Störungen und hohen Ladungsträgerkonzentrationen\nPlasmawellen im Terahertz-Bereich schwingen sollen. Wenn dies der Fall wäre, wäre es denkbar,\ndass diese Schwingungen zur Beschleunigung von Schaltungen verwendbar sind. Daher sollen\ndiese Wellen nun nachgewiesen und untersucht werden. Für diese Untersuchungen stellte diese\nArbeit eine Vormessung dar.\nUm an eine Graphenflocke mit einer Fläche von nur wenigen Quadratmikrometern Terahertz-\nFelder anzulegen, werden Graphen-Transistoren verwendet, deren Kontakte zu Bow-Tie-\nAntennen verbunden sind. Die vorliegende Arbeit untersucht mittels hochauflösender Rastersondenmikroskopie,\nwie sich das Potential des Graphens in diesen Transistoren verhält, wenn\nverschiedene Spannungen an den Gate- und an den Drain-Kontakt angelegt werden, und ob\nsich im Graphen Ladungsträger sammeln.\nDas Ergebnis der Arbeit ist, dass bei einer Erhöhung des Gate-Potentials das Potential des\nGraphens ebenfalls steigt. Sowohl das generelle Potential des Graphens als auch der Potential-\nAnstieg erhöhen sich drastisch, wenn an den Drain-Kontakt ebenfalls eine Spannung angeschlossen\nwird. Ansammlungen von Ladungsträgern wurden bei keiner Einstellung gefunden.
Details
Originalsprache | Deutsch |
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Qualifizierungsstufe | Bachelor of Science |
Gradverleihende Hochschule | |
Betreuer:in / Berater:in |
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Publikationsstatus | Veröffentlicht - 2017 |
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Schlagworte
Schlagwörter
- Graphen, Kelvin-Rasterkraftmikroskopie, KPFM, Transistor, Oberflächenpotential