Physical model of threshold switching in NbO2 based memristors
Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung
Beitragende
Details
| Originalsprache | Englisch |
|---|---|
| Seiten (von - bis) | 102318-102322 |
| Seitenumfang | 5 |
| Fachzeitschrift | RSC advances |
| Jahrgang | 5 |
| Ausgabenummer | 124 |
| Publikationsstatus | Veröffentlicht - 2015 |
| Peer-Review-Status | Ja |
Externe IDs
| Scopus | 84948800318 |
|---|---|
| ORCID | /0000-0001-7436-0103/work/142240356 |