Physical model of threshold switching in NbO2 based memristors

Publikation: Beitrag in FachzeitschriftForschungsartikelBeigetragenBegutachtung

Beitragende

Details

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)102318-102322
Seitenumfang5
FachzeitschriftRSC advances
Jahrgang5
Ausgabenummer124
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2015
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

Scopus 84948800318
ORCID /0000-0001-7436-0103/work/142240356

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