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Forschungsportal der TU Dresden

Physical and Circuit Modeling of HfO2 based Ferroelectric Memories and Devices

Publikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten › Beitrag in Konferenzband › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

M. Pesic - , Fakultät Elektrotechnik und Informationstechnik (Autor:in)
V. Di Lecce - (Autor:in)
M. Hoffmann - , Professur für Nanoelektronik (Autor:in)
H. Mulaosmanovic - (Autor:in)
B. Max - , Arbeitsgruppe Cool Silicon, Professur für Nanoelektronik, Institut für Halbleiter- und Mikrosystemtechnik (IHM) (Autor:in)
U. Schroeder - (Autor:in)
S. Slesazeck - (Autor:in)
L. Larcher - (Autor:in)
T. Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik (Autor:in)

Details

Originalsprache	Englisch
Titel	2017 IEEE SOI-3D-SUBTHRESHOLD MICROELECTRONICS TECHNOLOGY UNIFIED CONFERENCE (S3S)
ISBN (elektronisch)	2573-5926
Publikationsstatus	Veröffentlicht - 2017
Peer-Review-Status	Ja

Externe IDs

ORCID	/0000-0003-3814-0378/work/142256132

Schlagworte

Schlagwörter

ferroelectric memory, FeFET, modeling, synapse, neuromorphic, negative capacitance