Physical and circuit modeling of HfO2 based ferroelectric memories and devices

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Beitragende

  • M. Pesic - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • V. Di Lecce - , MDLSoft (Autor:in)
  • M. Hoffmann - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • H. Mulaosmanovic - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • B. Max - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • U. Schroeder - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • S. Slesazeck - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • L. Larcher - , MDLSoft, University of Modena and Reggio Emilia (Autor:in)
  • T. Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik, NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)

Details

OriginalspracheEnglisch
Titel2017 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S)
Seitenumfang4
ISBN (elektronisch)978-1-5386-3766-1, 978-1-5386-3765-4
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2018
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

Scopus 85047527232
WOS 000463041500001
ORCID /0000-0003-3814-0378/work/142256132

Schlagworte

Schlagwörter

  • ferroelectric memory, FeFET, modeling, synapse, neuromorphic, negative capacitance