Die Erfindung betrifft ein photoaktives Bauelement, insbesondere eine Solarzelle, bestehend aus organischen Schichten und vom Aufbau her aus einer oder mehreren aufeinander gestapelten pi-, ni- und/oder pin-Dioden. Diese zeichnen sich dadurch aus, dass sie zumindest eine p- oder n-dotierte Transportschicht mit einer größeren optischen Bandlücke als die photoaktive Schicht umfassen. Die einzelnen Dioden zeichnen sich durch eine hohe interne Quantenausbeute aus, können aber optisch dünn sein (Peak Absorption < 80%). Erfindungsgemäß wird nun eine hohe externe Quantenausbeute dadurch erreicht, dass entweder der optische Weg des einfallenden Lichts in den Dioden durch die Anwendung von Lichtfallen vergrößert wird oder dass mehrere dieser Dioden aufeinander gestapelt werden, wobei der Übergang zwischen zwei Dioden durch die Verwendung von Übergangsschichten zwecks erhöhter Rekombination und Generation erleichtert sein kann. Für beide Varianten ergeben sich eine Reihe spezifischer Vorteile aus der Verwendung der dotierten Transportschichten mit großer Bandlücke.