Origin of Temperature-Dependent Ferroelectricity in Si-Doped HfO2
Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung
Beitragende
Details
| Originalsprache | Englisch |
|---|---|
| Aufsatznummer | 1700489 |
| Fachzeitschrift | Advanced electronic materials |
| Jahrgang | 4 |
| Ausgabenummer | 4 |
| Publikationsstatus | Veröffentlicht - 2018 |
| Peer-Review-Status | Ja |
Externe IDs
| WOS | 000430115000005 |
|---|---|
| Scopus | 85044327505 |