Optische Bestimmung von Relaxationszeiten in Halbleiterstrukturen

Publikation: Hochschulschrift/AbschlussarbeitBachelorarbeit

Beitragende

  • Lorenz Lösche - (Autor:in)

Abstract

Zur optischen Bestimmung der Lebensdauern von freien Ladungsträgern durch Reflexionsmessungen\nwurde ein experimenteller Aufbau realisiert. Im Speziellen wurde in einer SiGe\nDünnfilm-Probe ein Elektron-Loch-Plasma erzeugt, indem die Probe mit einem gepulsten\nNd:YAG-Laser im nahinfraroten Wellenlängenbereich gepumpt wurde. Die Ladungsträgerkonzentration\nund ihr zeitliches Abklingen durch Rekombination wurde durch Reflexionsmessungen\nmit einem CO2-Laser (λ = 10, 6 µm) untersucht. Die mit dieser Methode bestimmten\nLebensdauern liegen im Bereich von ≈ 10 µs und sind stark von der Pumpleistung abhängig.

Details

OriginalspracheDeutsch
QualifizierungsstufeBachelor of Science
Gradverleihende Hochschule
Betreuer:in / Berater:in
  • Eng, Lukas, Gutachter:in
  • Kehr, Susanne, Betreuer:in
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2015
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Schlagworte

Schlagwörter

  • SiGe, Relaxationszeit, Pulslaser, pump-probe