Optische Bestimmung von Relaxationszeiten in Halbleiterstrukturen
Publikation: Hochschulschrift/Abschlussarbeit › Bachelorarbeit
Beitragende
Abstract
Zur optischen Bestimmung der Lebensdauern von freien Ladungsträgern durch Reflexionsmessungen\nwurde ein experimenteller Aufbau realisiert. Im Speziellen wurde in einer SiGe\nDünnfilm-Probe ein Elektron-Loch-Plasma erzeugt, indem die Probe mit einem gepulsten\nNd:YAG-Laser im nahinfraroten Wellenlängenbereich gepumpt wurde. Die Ladungsträgerkonzentration\nund ihr zeitliches Abklingen durch Rekombination wurde durch Reflexionsmessungen\nmit einem CO2-Laser (λ = 10, 6 µm) untersucht. Die mit dieser Methode bestimmten\nLebensdauern liegen im Bereich von ≈ 10 µs und sind stark von der Pumpleistung abhängig.
Details
| Originalsprache | Deutsch |
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| Qualifizierungsstufe | Bachelor of Science |
| Gradverleihende Hochschule | |
| Betreuer:in / Berater:in |
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| Publikationsstatus | Veröffentlicht - 2015 |
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Schlagworte
Schlagwörter
- SiGe, Relaxationszeit, Pulslaser, pump-probe