On the Control of the Fixed Charge Densities in Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf>-Based Silicon Surface Passivation Schemes
Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung
Beitragende
Details
Originalsprache | Englisch |
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Seiten (von - bis) | 28215–28222 |
Seitenumfang | 8 |
Fachzeitschrift | ACS Applied Materials and Interfaces |
Jahrgang | 7 |
Ausgabenummer | 51 |
Publikationsstatus | Veröffentlicht - 2015 |
Peer-Review-Status | Ja |
Externe IDs
Scopus | 84952880572 |
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