Nonvolatile Random Access Memory and Energy Storage Based on Antiferroelectric Like Hysteresis in ZrO2

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

  • Milan Pešić - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • M. Hoffmann - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • C. Richter - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • T. Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik, NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • U. Schroeder - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)

Details

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)7486-7494
Seitenumfang9
FachzeitschriftAdvanced functional materials
Jahrgang26
Ausgabenummer41
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2016
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

Scopus 84986247459

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