Nonvolatile field-effect transistors using ferroelectric doped HfO<inf>2</inf>films

Publikation: Buch/Konferenzbericht/Sammelband/GutachtenMonographieEingeladenBegutachtung

Beitragende

Details

OriginalspracheEnglisch
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2016
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

Scopus 84986207897

Schlagworte