Nonvolatile field-effect transistors using ferroelectric doped HfO<inf>2</inf>films
Publikation: Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten › Monographie › Eingeladen › Begutachtung
Beitragende
Details
Originalsprache | Englisch |
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Publikationsstatus | Veröffentlicht - 2016 |
Peer-Review-Status | Ja |
Externe IDs
Scopus | 84986207897 |
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