Nonvolatile field-effect transistors using ferroelectric doped HfO2 films

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Beitragende

  • U. Schroeder - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • S. Slesazeck - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • T. Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik, NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)

Details

OriginalspracheEnglisch
TitelFerroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories
Seiten57–72
Auflage1
ISBN (elektronisch)978-94-024-0841-6
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2016
Peer-Review-StatusJa

Publikationsreihe

ReiheTopics in Applied Physics (TAP)
Band131
ISSN0303-4216

Externe IDs

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Schlagworte