Morphology controlled growth of arrays of GaN nanopillars and randomly distributed GaN nanowires on sapphire using (N3)2Ga[(CH2)3NMe2] as a single molecule precursor
Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung
Beitragende
Abstract
Controlled growth of oriented GaN nanopillars and randomly distributed nanowires is accomplished by MOCVD using (N3)2Ga[(CH2)3NMe2] as a single molecule precursor.
Details
Originalsprache | Englisch |
---|---|
Seiten (von - bis) | 998-999 |
Seitenumfang | 2 |
Fachzeitschrift | Chemical communications |
Jahrgang | 2 |
Ausgabenummer | 9 |
Publikationsstatus | Veröffentlicht - 2002 |
Peer-Review-Status | Ja |
Extern publiziert | Ja |
Externe IDs
PubMed | 12123087 |
---|