Molecular beam deposited ZrO2 on GaN and Si/TiN: A comparison

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Beitragende

A. Freese - (Autor:in)
M. Grube - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
M. Geidel - (Autor:in)
B. Adolphi - , Professur für Mikrosystemtechnik (Autor:in)
A. Wachowiak - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
S. Schmult - , Professur für Nanoelektronik (Autor:in)
T. Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik, NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)

ORCID	/0000-0003-3814-0378/work/142256085