Modelling of vertical and ferroelectric junctionless technology for efficient 3D neural network compute cube dedicated to embedded artificial intelligence

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Beitragende

  • C. Maneux - , Université de Bordeaux (Autor:in)
  • C. Mukherjee - , Université de Bordeaux (Autor:in)
  • M. Deng - , Université de Bordeaux (Autor:in)
  • M. Dubourg - , Université de Bordeaux (Autor:in)
  • L. Reveil - , Université de Bordeaux (Autor:in)
  • G. Bordea - , Université de Bordeaux (Autor:in)
  • A. Lecestre - , Université de Toulouse (Autor:in)
  • G. Larrieu - , Université de Toulouse (Autor:in)
  • J. Trommer - , Technische Universität Dresden (Autor:in)
  • E. T. Breyer - , Technische Universität Dresden (Autor:in)
  • S. Slesazeck - , Technische Universität Dresden (Autor:in)
  • T. Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik, Technische Universität Dresden (Autor:in)
  • O. Baumgartner - , Global TCAD Solutions GmbH (Autor:in)
  • M. Karner - , Global TCAD Solutions GmbH (Autor:in)
  • D. Pirker - , Global TCAD Solutions GmbH (Autor:in)
  • Z. Stanojevic - , Global TCAD Solutions GmbH (Autor:in)
  • David Atienza - , École Polytechnique Fédérale de Lausanne (Autor:in)
  • A. Levisse - , École Polytechnique Fédérale de Lausanne (Autor:in)
  • G. Ansaloni - , École Polytechnique Fédérale de Lausanne (Autor:in)
  • A. Poittevin - , École centrale de Lyon (Autor:in)
  • A. Bosio - , École centrale de Lyon (Autor:in)
  • D. Deleruyelle - , École centrale de Lyon (Autor:in)
  • C. Marchand - , École centrale de Lyon (Autor:in)
  • I. Oconnor - , École centrale de Lyon (Autor:in)

Abstract

This paper presents the set of simulation means used to develop the concept of N2C2 (neural network compute cube) based on a vertical transistor technology platform. On the basis of state-of-the-art junctionless nanowire transistors (JLNT), TCAD simulation, compact modeling and EM simulation are leveraged through a Design-Technology Co-Optimization (DTCO) to achieve innovative 3D circuit architectures. Further, System-Technology Co-Optimization (STCO) implications on 3D NN system architecture are explored.

Details

OriginalspracheEnglisch
Titel2021 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2021
Herausgeber (Verlag)IEEE, New York [u. a.]
Kapitel15.6.1-15.6.4
ISBN (elektronisch)9781665425728
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2021
Peer-Review-StatusJa

Publikationsreihe

ReiheTechnical Digest / International Electron Devices Meeting (IEDM)
Band2021-December
ISSN0163-1918

Konferenz

Titel2021 IEEE International Electron Devices Meeting
UntertitelDevices for a New Era of Electronics: From 2D Materials to 3D Architectures
KurztitelIEDM 2021
Veranstaltungsnummer67
Dauer11 - 16 Dezember 2021
OrtHilton San Francisco Union Square Hotel & online
StadtSan Francisco
LandUSA/Vereinigte Staaten

Externe IDs

ORCID /0000-0003-3814-0378/work/142256165