Localized charge trapping memory cells in a 63 nm generation with nanoscale epitaxial cobalt salicide buried bitlines
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Beitragende
Abstract
A 63nm Twin Flash memory cell with a size of 0.0225μm2 per 2 (or 4) bits is presented. To achieve small cell areas, a buried bit line and an aggressive gate length of 100 nm are the key features of this cell together with a minimum thermal budget processing. A novel epitaxial CoSi2 process allows the salicidation of local buried bitlines with only a few tens of nanometer width.
Details
Originalsprache | Englisch |
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Titel | 2007 MRS Spring Meeting |
Herausgeber (Verlag) | Materials Research Society |
Seiten | 65-70 |
Seitenumfang | 6 |
ISBN (Print) | 9781558999572 |
Publikationsstatus | Veröffentlicht - 2007 |
Peer-Review-Status | Ja |
Extern publiziert | Ja |
Publikationsreihe
Reihe | Materials Research Society Symposium Proceedings |
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Band | 997 |
ISSN | 0272-9172 |
Konferenz
Titel | 2007 MRS Spring Meeting |
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Dauer | 10 - 13 April 2007 |
Stadt | San Francisco, CA |
Land | USA/Vereinigte Staaten |
Externe IDs
ORCID | /0000-0003-3814-0378/work/156338396 |
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