Local ion irradiation-induced resistive threshold and memory switching in Nb2O5/NbOx films

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

  • H. Wylezich - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • H. Mähne - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • J. Rensberg - , Friedrich-Schiller-Universität Jena (Autor:in)
  • C. Ronning - , Friedrich-Schiller-Universität Jena (Autor:in)
  • P. Zahn - , Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR) (Autor:in)
  • S. Slesazeck - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • T. Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik, NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)

Details

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)17474–17480
Seitenumfang7
FachzeitschriftACS Applied Materials and Interfaces
Jahrgang6
Ausgabenummer20
PublikationsstatusVeröffentlicht - 12 Sept. 2014
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

Scopus 84908192561

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