Light-induced degradation in annealed and electron irradiated silicon

Publikation: Beitrag in FachzeitschriftForschungsartikelBeigetragenBegutachtung

Beitragende

  • Kevin Lauer - , CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH, Technische Universitat Ilmenau (Autor:in)
  • Stefan Krischok - , Technische Universitat Ilmenau (Autor:in)
  • Thomas Klein - , CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH (Autor:in)
  • Mario Bähr - , CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH (Autor:in)
  • Alexander Lawerenz - , CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH (Autor:in)
  • Ralf Röder - , CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH (Autor:in)
  • Thomas Ortlepp - , CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH (Autor:in)
  • U. Gohs - , Institut für Leichtbau und Kunststofftechnik (ILK), Leibniz-Institut für Polymerforschung Dresden (Autor:in)

Details

OriginalspracheEnglisch
Aufsatznummer1900284
Seitenumfang6
FachzeitschriftPhysica Status Solidi (A) Applications and Materials Science
Jahrgang216
Ausgabenummer17
PublikationsstatusVeröffentlicht - 11 Sept. 2019
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

Scopus 85068688263

Schlagworte

Schlagwörter

  • electron beam irradiation, light-induced degradation, silicon