Integration and Reliability Aspects of Low-Temperature and Au-free Ta/Al-based Ohmic Contacts for AlGaN/GaN MIS-HEMTs

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

Details

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)307-310
FachzeitschriftIEEE 51ST EUROPEAN SOLID-STATE DEVICE RESEARCH CONFERENCE (ESSDERC 2021)
Jahrgang2021
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2021
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

Scopus 85123450634
ORCID /0000-0003-3814-0378/work/142256141

Schlagworte

Schlagwörter

  • high electron mobility transistors, AIGaN/GaN heterostructures, GaN-on-Si, ohmic contacts, gold-free, low-temperature annealing, tantalum/aluminum/tantalumnitride

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