In situ self-assembled organic interface layers for the controlled growth of oligothiophene thin films on ferroelectric Pb(Zr0.2Ti0.8)O3

Publikation: Beitrag in FachzeitschriftForschungsartikelBeigetragenBegutachtung

Beitragende

  • P. Milde - , Professur für Experimentalphysik/Photophysik (Autor:in)
  • R. Schoenfelder - , Leibniz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung Dresden (Autor:in)
  • A. Koitzsch - , Leibniz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung Dresden (Autor:in)
  • K. Haubner - , Technische Universität Dresden (Autor:in)
  • U. Zerweck-Trogisch - , Technische Universität Dresden (Autor:in)
  • E. Jaehne - , Technische Universität Dresden (Autor:in)
  • L. M. Eng - , Professur für Experimentalphysik/Photophysik (Autor:in)

Abstract

We introduce an in situ vacuum procedure for the optimal preparation and analysis of self-assembled monolayers (SAMs) as used in organic molecular electronics on ferroelectric lead zirconate titanate (PZT) substrates. Excellent ordering of oligothiophene semiconductor layers is heavily promoted through the presence of an interfacial bi-functional SAM layer that binds to both the oxidic PZT surface and the organic semiconductor molecules. The described method can be extended to other material combinations, featuring a variety of substrate materials and molecular functionalities. (C) 2013 AIP Publishing LLC.

Details

OriginalspracheEnglisch
Aufsatznummer214702
Seitenumfang7
FachzeitschriftJournal of Chemical Physics
Jahrgang139
Ausgabenummer21
PublikationsstatusVeröffentlicht - 7 Dez. 2013
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

ORCID /0000-0002-2484-4158/work/142257525
Scopus 84903363866

Schlagworte

Schlagwörter

  • FIELD-EFFECT TRANSISTORS, PHOSPHONIC ACID, FORCE MICROSCOPY, METAL-OXIDES, MONOLAYERS, PERFORMANCE, MOBILITY, ADSORPTION, SURFACES