Impact of scaling on the performance of HfO2-based ferroelectric field effect transistors

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

  • E. Yurchuk - (Autor:in)
  • J. Muller - (Autor:in)
  • J. Paul - (Autor:in)
  • T. Schlosser - (Autor:in)
  • D. Martin - (Autor:in)
  • R. Hoffmann - (Autor:in)
  • S. Mueller - (Autor:in)
  • S. Slesazeck - (Autor:in)
  • U. Schroeder - (Autor:in)
  • R. Boschke - (Autor:in)
  • R. Van Bentum - (Autor:in)
  • T. Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik, NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)

Details

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)3699 - 3706
Seitenumfang8
FachzeitschriftIEEE transactions on electron devices : ED
Jahrgang61
Ausgabenummer11
PublikationsstatusVeröffentlicht - 17 Sept. 2014
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

Scopus 84908452164

Schlagworte

Bibliotheksschlagworte