Impact of scaling on the performance of HfO<inf>2</inf>-based ferroelectric field effect transistors

Publikation: Beitrag in FachzeitschriftForschungsartikelBeigetragenBegutachtung

Beitragende

Details

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)3699 - 3706
Seitenumfang8
FachzeitschriftIEEE transactions on electron devices : ED
Jahrgang61
Ausgabenummer11
PublikationsstatusVeröffentlicht - 17 Sept. 2014
Peer-Review-StatusJa

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