Impact of scaling on the performance of HfO<inf>2</inf>-based ferroelectric field effect transistors
Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung
Beitragende
Details
Originalsprache | Englisch |
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Seiten (von - bis) | 3699 - 3706 |
Seitenumfang | 8 |
Fachzeitschrift | IEEE transactions on electron devices : ED |
Jahrgang | 61 |
Ausgabenummer | 11 |
Publikationsstatus | Veröffentlicht - 17 Sept. 2014 |
Peer-Review-Status | Ja |
Externe IDs
Scopus | 84908452164 |
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