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Forschungsportal der TU Dresden

Impact of hot carrier stress on small-signal parameters of FD-SOI NMOSFETs

Publikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten › Beitrag in Konferenzband › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

T. Chohan - , Professur für Nanoelektronik (Autor:in)
S. Slesazeck - (Autor:in)
J. Trommer - , Fakultät Elektrotechnik und Informationstechnik (Autor:in)
M. Pesic - , Fakultät Elektrotechnik und Informationstechnik (Autor:in)
S. Lehmann - , Professur für Grundschulpädagogik/Sachunterricht (Autor:in)
A. Pakfar - (Autor:in)
D. Harame - (Autor:in)
T. Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik (Autor:in)

Details

Originalsprache	Englisch
Titel	2017 IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW)
ISBN (elektronisch)	978-1-5386-2332-9
Publikationsstatus	Veröffentlicht - 2018
Peer-Review-Status	Ja

Publikationsreihe

Reihe	IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW)
ISSN	1930-8841

Externe IDs

Scopus	85047784063

Schlagworte