Impact of field cycling on HfO <inf>2</inf> based non-volatile memory devices

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Beitragende

U. Schroeder - (Autor:in)
M. Pesic - , Fakultät Elektrotechnik und Informationstechnik (Autor:in)
T. Schenk - , Fakultät Elektrotechnik und Informationstechnik (Autor:in)
H. Mulaosmanovic - (Autor:in)
S. Slesazeck - (Autor:in)
J. Ocker - (Autor:in)
C. Richter - (Autor:in)
E. Yurchuk - (Autor:in)
K. Khullar - (Autor:in)
J. Muller - (Autor:in)
P. Polakowski - , Professur für Optoelektronische Bauelemente und Systeme (gB/FG) (Autor:in)
E.D. Grimley - (Autor:in)
J.M. Lebeau - (Autor:in)
S. Flachowsky - (Autor:in)
S. Jansen - (Autor:in)
S. Kolodinski - (Autor:in)
R. Van Bentum - (Autor:in)
A. Kersch - (Autor:in)
C. Kunneth - (Autor:in)
T. Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik (Autor:in)

Originalsprache	Undefiniert
Titel	European Solid-State Device Research Conference
Publikationsstatus	Veröffentlicht - 2016
Peer-Review-Status	Ja

Scopus	84994460605