Impact of field cycling on HfO2 based non-volatile memory devices

Impact of field cycling on HfO₂ based non-volatile memory devices

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U. Schroeder - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
M. Pesic - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
T. Schenk - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
H. Mulaosmanovic - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
S. Slesazeck - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
J. Ocker - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
C. Richter - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
E. Yurchuk - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
K. Khullar - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
J. Muller - , Fraunhofer-Institut für Photonische Mikrosysteme (Autor:in)
P. Polakowski - , Fraunhofer-Institut für Photonische Mikrosysteme (Autor:in)
E.D. Grimley - , North Carolina State University (Autor:in)
J.M. Lebeau - , North Carolina State University (Autor:in)
S. Flachowsky - , Global Foundries Dresden (Autor:in)
S. Jansen - , Global Foundries Dresden (Autor:in)
S. Kolodinski - , Global Foundries Dresden (Autor:in)
R. Van Bentum - , Global Foundries Dresden (Autor:in)
A. Kersch - , Hochschule für angewandte Wissenschaften München (Autor:in)
C. Kunneth - , Hochschule für angewandte Wissenschaften München (Autor:in)
T. Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik, NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)

Originalsprache	Englisch
Titel	2016 46th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC)
Seiten	364-368
ISBN (elektronisch)	978-1-5090-2969-3
Publikationsstatus	Veröffentlicht - 2016
Peer-Review-Status	Ja

Reihe	European Conference on Solid-State Device Research (ESSDERC)
ISSN	1930-8876

Scopus	84994460605