High-Performance CNT-Based FETs on 200 mm Si Wafers With Low Drift and aM-Level Biosensing Sensitivity

Publikation: Beitrag in FachzeitschriftForschungsartikelBeigetragenBegutachtung

Beitragende

  • Leticia Alves da Silva - , Technische Universität Chemnitz (Autor:in)
  • Martin Hartmann - , Technische Universität Chemnitz, Fraunhofer-Institut für Elektronische Nanosysteme (Autor:in)
  • Simon Bottger - , Technische Universität Chemnitz, Fraunhofer-Institut für Elektronische Nanosysteme (Autor:in)
  • Sascha Hermann - , Technische Universität Chemnitz, Fraunhofer-Institut für Elektronische Nanosysteme, Center for Advancing Electronics Dresden (cfaed) (Autor:in)

Abstract

Carbon nanotube (CNT) based ion-sensitive FETs (ISFETs) and biosensor FETs (BioFETs) provide scalable solutions for liquid electrochemical sensing. We present fab-compatible CNT-ISFETs fabricated on 200 mm wafers and evaluated under electrolyte gating, showing consistent threshold voltage (V th) (0.45 ± 0.06) V, low gate leakage (10 -9A), <10% on-current drift over 7 h, and <20% variation in key electrical parameters such as on-current, transconductance, threshold voltage, and subthreshold swing, demonstrating good deposition uniformity. After 3-Aminopropyltriethoxysilane functionalization, BioFETs exhibit I on/I off > 10 4, a narrow V th (0.31 ± 0.02) V, and a subthreshold swing of (101 ± 4) mV/dec, meeting relevant performance criteria. Upon functionalization for DNA sensing, our BioFETs achieve responsivities of >300% for 100 aM target DNA and ΔV th ∼ 80 mV, marking the first instance of such low detection in label-free, non-nanoparticle-assisted CNT-FET biosensors.

Details

OriginalspracheEnglisch
Aufsatznummer4502904
Seiten (von - bis)1-4
FachzeitschriftIEEE Sensors Letters
Jahrgang9
Ausgabenummer10
Frühes Online-Datum22 Sept. 2025
PublikationsstatusVeröffentlicht - Okt. 2025
Peer-Review-StatusJa

Schlagworte

Schlagwörter

  • Chemical and biological sensors, DNA sensor, biosensor, biosensor FET (BioFET), carbon nanotube field-effect transistor (CNT-FET), ion-sensitive FET (ISFET)