High-Performance 2D p-Type Transistors Based on GaSe Layers: An Ab Initio Study

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

  • Agnieszka Kuc - , Universität Leipzig, Jacobs University Bremen (Autor:in)
  • Teresa Cusati - , University of Pisa (Autor:in)
  • Elias Dib - , University of Pisa (Autor:in)
  • Augusto F. Oliveira - , Universität Leipzig, Jacobs University Bremen (Autor:in)
  • Alessandro Fortunelli - , National Research Council of Italy (Autor:in)
  • Giuseppe Iannaccone - , University of Pisa (Autor:in)
  • Thomas Heine - , Universität Leipzig, Jacobs University Bremen (Autor:in)
  • Gianluca Fiori - , University of Pisa (Autor:in)

Details

OriginalspracheEnglisch
Aufsatznummer1600399
FachzeitschriftAdvanced electronic materials
Jahrgang3
Ausgabenummer2
PublikationsstatusVeröffentlicht - 1 Feb. 2017
Peer-Review-StatusJa
Extern publiziertJa

Schlagworte

ASJC Scopus Sachgebiete

Schlagwörter

  • density functional theory, device, GaSe monolayer, transport properties, ultrashort channel

Bibliotheksschlagworte