Highly Mismatched, Dislocation-Free SiGe/Si Heterostructures

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

  • Fabio Isa - , ETH Zürich (Autor:in)
  • Marco Salvalaglio - , Università degli Studi di Milano Bicocca (Autor:in)
  • Yadira Arroyo Rojas Dasilva - , Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology (Empa) (Autor:in)
  • Mojmir Meduna - , Masaryk University (Autor:in)
  • Michael Barget - , Università degli Studi di Milano Bicocca (Autor:in)
  • Arik Jung - , ETH Zürich (Autor:in)
  • Thomas Kreiliger - , ETH Zürich (Autor:in)
  • Giovanni Isella - , Polytechnic University of Milan (Autor:in)
  • Rolf Erni - , Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology (Empa) (Autor:in)
  • Fabio Pezzoli - , Università degli Studi di Milano Bicocca (Autor:in)
  • Emiliano Bonera - , Università degli Studi di Milano Bicocca (Autor:in)
  • Philippe Niedermann - , Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique (CSEM) (Autor:in)
  • Pierangelo Groening - , Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology (Empa) (Autor:in)
  • Francesco Montalenti - , Università degli Studi di Milano Bicocca (Autor:in)
  • Hans von Kaenel - , ETH Zürich (Autor:in)

Details

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)884-888
Seitenumfang5
FachzeitschriftAdvanced materials
Jahrgang28
Ausgabenummer5
PublikationsstatusVeröffentlicht - 3 Feb. 2016
Peer-Review-StatusJa
Extern publiziertJa

Externe IDs

Scopus 84956600902
ORCID /0000-0002-4217-0951/work/142237439

Schlagworte

Schlagwörter

  • heteroepitaxy, heterostructures, strain relaxation, SiGe, substrate patterning, EPITAXIAL-GROWTH, LAYERS, HETEROEPITAXY, NANOHETEROEPITAXY, DENSITIES, GAN, GE