HfxZr1 − xO2 thin films for semiconductor applications: An Hf- and Zr-ALD precursor comparison
Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung
Beitragende
Details
| Originalsprache | Englisch |
|---|---|
| Aufsatznummer | 022402 |
| Fachzeitschrift | Journal of vacuum science & technology : JVST ; A, Vacuum, surfaces, and films |
| Jahrgang | 38 |
| Ausgabenummer | 2 |
| Publikationsstatus | Veröffentlicht - März 2020 |
| Peer-Review-Status | Ja |
Externe IDs
| Scopus | 85077965562 |
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