HfxZr1 − xO2 thin films for semiconductor applications: An Hf- and Zr-ALD precursor comparison

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

Details

OriginalspracheEnglisch
Aufsatznummer022402
Fachzeitschrift Journal of vacuum science & technology : JVST ; A, Vacuum, surfaces, and films
Jahrgang38
Ausgabenummer2
PublikationsstatusVeröffentlicht - März 2020
Peer-Review-StatusJa

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