HfO 2-based ferroelectric field-effect transistors with 260 nm channel length and long data retention

Publikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten › Beitrag in Konferenzband › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

  • Ekaterina Yurchuk - (Autor:in)
  • J. Müller - (Autor:in)
  • R. Hoffmann - (Autor:in)
  • J. Paul - (Autor:in)
  • D. Martin - (Autor:in)
  • R. Boschke - (Autor:in)
  • T. Schlösser - (Autor:in)
  • S. Müller - (Autor:in)
  • S. Slesazeck - (Autor:in)
  • R. Van Bentum - (Autor:in)
  • Martin Trentzsch - (Autor:in)
  • U. Schröder - (Autor:in)
  • T. Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik (Autor:in)

Details

OriginalspracheEnglisch
Titel2012 4th IEEE International Memory Workshop
Herausgeber (Verlag)Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
ISBN (elektronisch)978-1-4673-1081-9
ISBN (Print)978-1-4673-1079-6
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2012
Peer-Review-StatusJa

Publikationsreihe

ReiheIEEE International Memory Workshop (IMW)
ISSN2330-7978

Externe IDs

Scopus 84864123275

Schlagworte