HfO 2-based ferroelectric field-effect transistors with 260 nm channel length and long data retention
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Beitragende
Details
Originalsprache | Englisch |
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Titel | 2012 4th IEEE International Memory Workshop |
Herausgeber (Verlag) | IEEE |
ISBN (elektronisch) | 978-1-4673-1081-9 |
ISBN (Print) | 978-1-4673-1079-6 |
Publikationsstatus | Veröffentlicht - 2012 |
Peer-Review-Status | Ja |
Publikationsreihe
Reihe | IEEE International Memory Workshop (IMW) |
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ISSN | 2330-7978 |
Externe IDs
Scopus | 84864123275 |
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