Hafnium oxide based ferroelectric devices for memories and beyond
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Beitragende
Details
| Originalsprache | Englisch |
|---|---|
| Titel | 2018 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application, VLSI-TSA 2018 |
| Publikationsstatus | Veröffentlicht - 2018 |
| Peer-Review-Status | Ja |
Externe IDs
| Scopus | 85050498429 |
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