Ga contamination in silicon by Focused Ion Beam milling: Dynamic model simulation and Atom Probe Tomography experiment

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

Details

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)390-392
Seitenumfang3
FachzeitschriftMicroelectronics Reliability
Jahrgang64
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2016
Peer-Review-StatusJa

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