From MFM Capacitors Toward Ferroelectric Transistors: Endurance and Disturb Characteristics of HfO2-Based FeFET Devices

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

  • Stefan Mueller - (Autor:in)
  • Johannes Mueller - (Autor:in)
  • Raik Hoffmann - (Autor:in)
  • Ekaterina Yurchuk - (Autor:in)
  • Till Schloesser - (Autor:in)
  • Roman Boschke - (Autor:in)
  • Jan Paul - (Autor:in)
  • Matthias Goldbach - (Autor:in)
  • Tom Herrmann - (Autor:in)
  • Alban Zaka - (Autor:in)
  • Uwe Schroeder - (Autor:in)
  • Thomas Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik (Autor:in)

Details

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)4199-4205
Seitenumfang7
FachzeitschriftIEEE transactions on electron devices : ED
Jahrgang60
Ausgabenummer12
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2013
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

WOS 000327584400034
ORCID /0000-0003-3814-0378/work/12321490
Scopus 84889594858

Schlagworte

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