FREE-CARRIER LIFETIME AND DEEP-LEVEL LUMINESCENCE IN SEMI-INSULATING GAAS - THE INFLUENCE OF INDIUM DOPING AND GROWTH IN A MAGNETIC-FIELD

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen

Beitragende

Details

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)1800-1804
Seitenumfang5
FachzeitschriftJournal of Applied Physics
Ausgabenummer4
PublikationsstatusVeröffentlicht - 1989
Peer-Review-StatusNein

Externe IDs

Scopus 0342547624