Ferroelectricity in Si-doped HfO2 revealed: A binary lead-free ferroelectric

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

  • Dominik Martin - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • Johannes Müller - , Fraunhofer-Institut für Photonische Mikrosysteme (Autor:in)
  • Tony Schenk - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • Thomas M Arruda - , Oak Ridge National Laboratory (Autor:in)
  • Amit Kumar - , Oak Ridge National Laboratory (Autor:in)
  • Evgheni Strelcov - , Oak Ridge National Laboratory (Autor:in)
  • Ekaterina Yurchuk - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • Stefan Müller - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • Darius Pohl - , Leibniz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung Dresden (Autor:in)
  • Uwe Schröder - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • Sergei V. Kalinin - , Oak Ridge National Laboratory (Autor:in)
  • Thomas Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik, NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)

Details

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)8198-8202
Seitenumfang5
FachzeitschriftAdvanced materials
Jahrgang26
Ausgabenummer48
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2014
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

Scopus 84914690571
Bibtex martin2014ferroelectricity
ORCID /0000-0003-3814-0378/work/142256114
ORCID /0000-0002-4859-4325/work/163295210

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