Ferroelectric Zr0.5Hf0.5O2 thin films for nonvolatile memory applications

Publikation: Beitrag in FachzeitschriftForschungsartikelBeigetragenBegutachtung

Beitragende

Details

OriginalspracheEnglisch
Aufsatznummer112901
FachzeitschriftApplied physics letters
Jahrgang99
Ausgabenummer11
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2011
Peer-Review-StatusJa

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