Ferroelectric Zr(0.5)Hf(0.5)O(2) thin films for nonvolatile memory applications

Publikation: Beitrag in FachzeitschriftForschungsartikelBeigetragenBegutachtung

Beitragende

  • T. S. Boscke - (Autor:in)
  • U. Bottger - (Autor:in)
  • D. Brauhaus - (Autor:in)
  • L. Frey - (Autor:in)
  • P. Kucher - (Autor:in)
  • T. Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik, NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • J. Muller - (Autor:in)
  • U. Schroder - (Autor:in)
  • J. Sundqvist - , Fraunhofer-Institut für Photonische Mikrosysteme (Autor:in)

Details

OriginalspracheEnglisch
Aufsatznummer112901
FachzeitschriftApplied physics letters
Jahrgang99
Ausgabenummer11
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2011
Peer-Review-StatusJa