Ferroelectric Zr0.5Hf0.5O2 thin films for nonvolatile memory applications

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

  • J. Müller - (Autor:in)
  • T.S. Böscke - (Autor:in)
  • D. Bräuhaus - (Autor:in)
  • U. Schröder - (Autor:in)
  • U. Böttger - (Autor:in)
  • J. Sundqvist - , Fraunhofer-Institut für Photonische Mikrosysteme (Autor:in)
  • P. Kcher - (Autor:in)
  • T. Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik, NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • L. Frey - (Autor:in)

Details

OriginalspracheEnglisch
Aufsatznummer112901
FachzeitschriftApplied physics letters
Jahrgang99
Ausgabenummer11
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2011
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

ORCID /0000-0003-3814-0378/work/16668347
Scopus 80053211514

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