Ferroelectric hafnium oxide for ferroelectric random-access memories and ferroelectric field-effect transistors
Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung
Beitragende
Details
| Originalsprache | Englisch |
|---|---|
| Seiten (von - bis) | 340–346 |
| Seitenumfang | 7 |
| Fachzeitschrift | MRS bulletin |
| Jahrgang | 43 |
| Publikationsstatus | Veröffentlicht - 2018 |
| Peer-Review-Status | Ja |
Externe IDs
| Scopus | 85047358653 |
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