Ferroelectric field-effect transistors based on HfO2: a review
Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung
Beitragende
Details
| Originalsprache | Undefiniert |
|---|---|
| Fachzeitschrift | Nanotechnology |
| Jahrgang | 32 |
| Ausgabenummer | 50 |
| Publikationsstatus | Veröffentlicht - 10 Dez. 2021 |
| Peer-Review-Status | Ja |
Externe IDs
| Scopus | 85116497856 |
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