Ferroelectric FETs With 20-nm-Thick HfO₂ Layer for Large Memory Window and High Performance

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

Details

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)3828-3833
Seitenumfang6
FachzeitschriftIEEE transactions on electron devices : ED
Jahrgang66
Ausgabenummer9
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2019
Peer-Review-StatusJa

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