Effect of acceptor doping on phase transitions of HfO2 thin films for energy-related applications

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

  • Min Hyuk Park - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • T. Schenk - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • M. Hoffmann - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • S. Knebel - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • Jan Gärtner - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • T. Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik, NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • U. Schroeder - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)

Details

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)381-389
Seitenumfang9
FachzeitschriftNano energy
Jahrgang36
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2017
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

Scopus 85018947307

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