Downscaling ferroelectric field effect transistors by using ferroelectric Si-doped HfO2

Publikation: Beitrag in FachzeitschriftForschungsartikelBeigetragenBegutachtung

Beitragende

Details

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)65-68
Seitenumfang4
FachzeitschriftSolid-State Electronics
Jahrgang88
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2013
Peer-Review-StatusJa

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