Downscaling ferroelectric field effect transistors by using ferroelectric Si-doped HfO2
Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung
Beitragende
Details
| Originalsprache | Englisch |
|---|---|
| Seiten (von - bis) | 65-68 |
| Seitenumfang | 4 |
| Fachzeitschrift | Solid-State Electronics |
| Jahrgang | 88 |
| Publikationsstatus | Veröffentlicht - 2013 |
| Peer-Review-Status | Ja |
Externe IDs
| Scopus | 84885019263 |
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