Critical parameters for the presence of a 2DEG in GaN/AlxGa1−xN heterostructures
Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung
Beitragende
Details
| Originalsprache | Englisch |
|---|---|
| Aufsatznummer | 125018 |
| Fachzeitschrift | AIP advances |
| Jahrgang | 9 |
| Ausgabenummer | 12 |
| Publikationsstatus | Veröffentlicht - 1 Dez. 2019 |
| Peer-Review-Status | Ja |
Externe IDs
| Scopus | 85076917246 |
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